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光刻基本操作步驟

一、認(rèn)真核對(duì)隨工單:檢查隨工單上的工步與片子數(shù)是否與實(shí)際相符,如果正確,將其倒入黑盒中,用倒邊器檢查片子是否有崩邊,若有則查對(duì)隨工單上是否有標(biāo)明,若無(wú),退回上步工序。確定無(wú)誤后,按照隨工單上的要求制作。

二、光刻的主要步驟:

勻膠、前烘、曝光、顯影、顯影后檢查

勻膠

目的:在硅片表面均勻涂上一層厚度一定的光刻膠

準(zhǔn)備工作:

①、泡膠嘴、擦膠嘴、走陪片

②、檢查膠瓶?jī)?nèi)光刻膠(膠液面距瓶底5厘米,及時(shí)更換新膠,并填寫(xiě)“換膠記錄表”) 

③ 、按隨工單加工工步、勻膠程序 確定表,選擇正確的勻膠程序

光刻膠類型及加工類型

注意:在勻膠過(guò)程中,如發(fā) 生不明原因的報(bào)警應(yīng)通知設(shè)備人員;停用5分鐘以上應(yīng)先勻3個(gè)陪片,方可進(jìn)行正式片的勻膠。

前烘

目的:將涂在硅片表面的膠內(nèi)溶劑充分揮發(fā),增強(qiáng)抗顯影能力

主要步驟:

①、將勻完膠的硅片從黑色的片架中倒入白色的四氟片架中

②、將硅片放入烘箱中,負(fù)膠烘15分鐘,正膠25分鐘

③、將烘好的硅片取出,倒入黑色聚乙烯片架中

注意:操作時(shí)必須帶上手套操作

曝光

目的:將掩膜版上的圖形復(fù)印到硅片上

主要步驟:

①、檢查光刻版:將光刻版放在UV燈下檢查,照射背面檢查是否有顆粒,若有用氮?dú)獯档?,切忌不要吹正?/span>

②、裝版:將版盒打開(kāi),開(kāi)口方向背對(duì)自己,將光刻版正面朝下,箭頭朝左下方,扣上版盒,準(zhǔn)備曝光

③、上版與對(duì)版:

        RTLD〉RCHG/N

        FILE NAME = C:MK609-

        RETICLE NAME = M2

        EXECUTE?

   ④、 曝光操作:

        FEXP〉PRNT/IO             

PARAMETER CHECK COMPLETE (「Y」OR N)=_N_找到  EXP. TIME= 按“空格”修改曝光時(shí)間(見(jiàn) “曝光時(shí)間確定表”)HOW MANY WAFERS = _1_待片子上到載片臺(tái)后,手動(dòng)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行曝光,顯影,檢驗(yàn),確認(rèn)無(wú)誤后,對(duì)硅片繼續(xù)進(jìn)行曝光

曝光時(shí)間確定表

光刻膠曝光時(shí)間

顯影

目的:將未感光部分的負(fù)性光刻膠溶除,留下感光部分的膠膜;將感光部分的正性光刻膠 除,留下未感光部分的膠膜

注意事項(xiàng):

①、檢查N2壓力不低于22PSI,真空壓力必須大于22或23Hg/cm2,顯影液壓力調(diào)制15PSI

②、檢查顯影液是否夠,若不夠,要及時(shí)添加

③、機(jī)器若出現(xiàn)故障,及時(shí)通知班長(zhǎng)或技術(shù)員

光刻膠顯影

注意:氧化層光刻后帶膠注入的片子一定要走熱盤(pán)

顯影后檢查

目的:確定光刻膠成像情況及表面情況是否符合要求,以確定能否進(jìn)行下道工序

基本步驟:

①、UV燈下檢查光刻膠是否有劃傷、沾污或覆蓋不完全的情況

②、顯微鏡下檢查是否沒(méi)有光刻膠圖形、重復(fù)曝光、浮膠、圖形 套偏(錯(cuò)行,錯(cuò)位)、接觸不良、曝光不適度、光刻膠覆蓋不完全、顯影不徹底、連條、沾污、缺口、毛刺等現(xiàn)象




標(biāo)簽:   光刻技術(shù)