光刻膠也稱(chēng)為光致抗蝕劑。凡是在能量束（光束、電子束、離子束等）的照射下，以交聯(lián)反應(yīng)為主的光刻膠稱(chēng)負(fù)性光刻膠，簡(jiǎn)稱(chēng)負(fù)膠。

凡是在能量束（光束、電子束、離子束等）的照射下，以降解反應(yīng)為主的光刻膠稱(chēng)為正性光刻膠，簡(jiǎn)稱(chēng)正膠。

對(duì)于光刻膠的涂敷和顯影，已下詳細(xì)為大家講解：

1、脫水烘烤

目的是去除硅片表面吸附的水分。

2、增粘處理

在烘烤后的硅片表面涂一層六甲基二硅亞胺，目的是增加硅片表面與光刻膠的粘附性?？刹捎谜羝坎挤?，也可采用旋涂法。

3、涂膠

    一般采用旋涂法。涂膠的關(guān)鍵是控制膠膜的厚度與膜后的均勻性。膠膜的厚度決定于膠的粘度和旋轉(zhuǎn)速度。

    4、前烘（軟烘）

    目的是去除膠中的大部分溶劑和穩(wěn)定膠的感光特性。

    5、曝光

    6、顯影

    將曝光后的硅片放到顯影液中。對(duì)于負(fù)膠，通過(guò)顯影溶膠掉未曝光區(qū)的膠膜；對(duì)于正膠，通過(guò)顯影溶解掉曝光區(qū)的膠膜。幾乎所有的正膠都使用堿性顯影液。

顯影過(guò)程中膠膜會(huì)發(fā)生膨脹。正膠的膨脹可以忽略，而負(fù)膠的膨脹則可能使圖形尺寸發(fā)生變化。

顯影過(guò)程對(duì)溫度非常敏感。顯影過(guò)程可影響較的對(duì)比度，從而影響膠的剖面形狀。

7、后烘（硬烘、堅(jiān)膜）

目的是使膠膜硬化，提高其在后續(xù)工序中的掩蔽性。

8、刻蝕

9、去膠