使用方法

基底準(zhǔn)備

在使用SU-8光刻膠之前，基板應(yīng)保持清潔和干燥.

清潔基板的方法包括使用硫酸和過(guò)氧化氫的混合液（piranha etch）進(jìn)行濕法清洗，隨后用去離子水沖洗.

可選地，也可使用反應(yīng)離子蝕刻（RIE）或其他含氧的桶式裝置進(jìn)行清洗.

對(duì)于某些應(yīng)用（例如電鍍），推薦使用MCC Primer 80/20 (HMDS) 對(duì)基體進(jìn)行預(yù)處理.

涂膠

根據(jù)基板尺寸，分配適量的光刻膠（例如，對(duì)于每英寸的基板直徑分配1ml的抗蝕劑）.

使用旋涂機(jī)以一定的速度和加速度進(jìn)行涂布，例如：先以500 rpm旋轉(zhuǎn)5-10秒，然后以2000 rpm旋轉(zhuǎn)30秒.

軟烘烤

推薦使用具有良好熱控制和均勻性的水平熱板進(jìn)行軟烘烤.

避免使用對(duì)流烤箱，以防抗蝕劑表層形成.

曝光

使用長(zhǎng)通濾波器來(lái)消除350nm以下的紫外線輻射.

進(jìn)行接觸矩陣實(shí)驗(yàn)，以確定最佳曝光劑量.

顯影

SU-82000光刻膠與MicroChem公司的SU-8顯影劑配合使用.

顯影過(guò)程中，推薦使用強(qiáng)烈攪拌3.

顯影后，用新鮮溶液沖洗約10秒，然后用異丙醇(IPA)再噴/洗10秒.

硬烘烤（可選）

對(duì)于將成像電阻作為設(shè)備一部分保留的應(yīng)用，可以添加硬烘烤步驟.

烘烤溫度建議比設(shè)備最大運(yùn)行溫度高10°C，通常在150°C到250°C之間.

注意事項(xiàng)

溫度控制

確保光刻膠的涂布溫度與室溫相同，通常為23°C.

濕度控制

控制涂膠時(shí)的濕度，防止光刻膠脫落或降低良品率.

涂膠后產(chǎn)品放置時(shí)間

涂完光刻膠的產(chǎn)品保留時(shí)間不應(yīng)超過(guò)8小時(shí).

前烘溫度和時(shí)間

控制前烘的溫度和時(shí)間，以促使膠膜內(nèi)溶劑充分揮發(fā).

顯影條件

顯影時(shí)必須控制好顯影液的溫度、濃度及顯影的時(shí)間.

以上步驟和注意事項(xiàng)可以幫助您更好地使用SU-8光刻膠，以獲得高質(zhì)量的光刻效果。

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