- 微流控中的電極掩膜版的制備工藝測量:測量掩膜版的關鍵尺寸(CD,Crital Dimension)和套刻精度(Overlay)等關鍵參數(shù)。缺陷處理:對檢測到的缺陷進行修復。貼光學...2025-05-06 10:10:10
- 正性光刻對掩膜版有哪些要求案到光刻膠上。分辨率受到光刻膠、曝光光源和掩膜版本身等多種因素的影響。套刻精度:套刻精度是指不同層圖案之間的對準精度。對于正性光刻而言,掩膜版上的圖...2025-02-17 09:46:14
- 微流控光刻掩膜版的介紹及作用,其中需對掩膜版關鍵尺寸(CD,CriticalDimension)、套刻精度(Overlay)等關鍵參數(shù)進行測量,同時需使用自動光學檢測設備(AO...2024-08-15 10:13:13
- 光刻工藝介紹裝備,評價光刻機性能主要有三個指標。即分辨率(resolution)、套刻精度(overlay)和產(chǎn)率(throughput)。分辨率一般有兩種表示...2023-12-21 10:56:32
- 對準工作原理,這樣才能保證每一層圖形有正確的相對位置,這稱為套刻曝光(簡稱套刻)。套刻精度是投影光刻機的關鍵技術指標,而對準精度是影響套刻精度的關鍵因素。掩模硅...2018-07-27 09:05:43
- 芯片光刻的流程詳解(上)lat進行激光自動對準b、通過對準標志,位于切割槽上。另外層間對準,即套刻精度,保證圖形與硅片上已經(jīng)存在的圖形之間的對準。(文章來源:半導體行業(yè)觀察...2018-07-12 08:36:24
- Nikon光刻機對準機制和標記系統(tǒng)研究心坐標,最終完成所有曝光前的對準工作。經(jīng)過以上各步的對準操作,可得到的套刻精度是(某次實測值),X方向3a值為0.078Km,Y方向0.082um,...2018-01-31 09:33:17